高頻光電導(dǎo)少子壽命測(cè)試儀DZ-LT-1 

1、 用途

用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，除需要有一個(gè)測(cè)量平面外，對(duì)樣塊體形無嚴(yán)格要求，可測(cè)塊狀和片狀單晶壽命。壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況，是單晶質(zhì)量的重要檢測(cè)項(xiàng)目。

高頻光電導(dǎo)少子壽命測(cè)試儀DZ-LT-1 2、 設(shè)備組成

2.1、光脈沖發(fā)生裝置

重復(fù)頻率＞25次/s      脈寬＞60μｓ          光脈沖關(guān)斷時(shí)間＜0.2-1μｓ

紅外光源波長(zhǎng)：1.06～1.09μm（測(cè)量硅單晶）   脈沖電流：5A～20A

如測(cè)量鍺單晶壽命需配置適當(dāng)波長(zhǎng)的光源
2.2、高頻源

頻率：30MHz       低輸出阻抗      輸出功率＞1W

2.3、放大器和檢波器

頻率響應(yīng)：2Hz～2MHz

2.4、配用示波器

配用示波器：頻帶寬度不低于40MHz，Y軸增益及掃描速度均應(yīng)連續(xù)可調(diào)。

3、測(cè)量范圍

DZ-LT-1可測(cè)硅單晶的電阻率范圍：ρ≥3Ω·㎝（歐姆·厘米）,壽命值的測(cè)量范圍：5～6000μｓ

晶體少子壽命測(cè)試儀型號(hào)：LT-200

LT-200數(shù)字式太陽能級(jí)硅晶體少子壽命測(cè)試儀簡(jiǎn)介 
1. 儀器應(yīng)用范圍及說明 
本設(shè)備是按照標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測(cè)定的高頻光電導(dǎo)衰減法”設(shè)計(jì)制造。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國半導(dǎo)體集成電路、晶體管、整流器件、核探器行業(yè)已運(yùn)用了三十多年，積累了豐富的使用經(jīng)驗(yàn)，經(jīng)過數(shù)次全國十多個(gè)單位巡回測(cè)試的考驗(yàn)，證明是一種成熟可靠的測(cè)試方法，特別適合于硅塊、硅棒的少子體壽命測(cè)量；也可對(duì)硅片進(jìn)行測(cè)量，給出相對(duì)壽命值。方法本身對(duì)樣品表面的要求為研磨面，因此制樣特別簡(jiǎn)便。 
昆德公司數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀有以下特點(diǎn)： 
可測(cè)量太陽能級(jí)多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面無需拋光，直接對(duì)切割面或研磨面進(jìn)行測(cè)量，儀器可按需方提供的有標(biāo)稱值的校準(zhǔn)樣品調(diào)試壽命值。 
1.1 可測(cè)量太陽能級(jí)單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對(duì)壽命，表面無需拋光、鈍化。 
1.2 液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時(shí)在線顯示光電導(dǎo)衰退波形。 
1.3 配置的紅外光源：0.904～0.905μm波長(zhǎng)紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強(qiáng)較強(qiáng)，有利于測(cè)量低阻太陽能級(jí)硅晶體少數(shù)載流子體壽命，脈沖功率30W。 
1.4 專門為消除陷進(jìn)效應(yīng)增加了紅外低光照。 
1.5 測(cè)量范圍寬廣 
測(cè)試儀可直接測(cè)量： 
a、研磨或切割面：電阻率≥0.5Ω•cm的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對(duì)壽命。 
b、拋光面：電阻率在0.5～0.01Ω•cm范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶厚度小于1mm的拋光片。 
2. 設(shè)備技術(shù)要求及性能指標(biāo) 
2.1 少子壽命測(cè)試范圍：0.5μs~6000μs              
2.2 樣品的電阻率范圍：ρ﹥0.1Ω·cm（非回爐料）               
2.3 測(cè)試速度：1分鐘/片                       
2.4 紅外光源波長(zhǎng)： 0.904～0.905μm                    
2.5 高頻振蕩源：用石英諧振器，振蕩頻率：30MHZ 
2.6 前置放大器，放大倍數(shù)約25，頻寬2HZ-2MHZ 
2.7 可測(cè)單晶尺寸：斷面豎測(cè)： 
直徑25mm-150mm；厚度2mm-500mm 
縱向臥測(cè)：直徑5mm-20mm；長(zhǎng)度50mm-200mm 
2.8 測(cè)量方式：采用數(shù)字示波器直接讀數(shù)方式 
2.9 測(cè)試分辨率：數(shù)字存儲(chǔ)示波器zui小分辨率0.01μs  
2.10 設(shè)備重量：20 Kg  
2.11 儀器電源：電源電壓類型：?jiǎn)蜗?10～230V,50Hz,帶電源隔離、濾波、穩(wěn)壓，不能與未做保護(hù)措施的大功率、高頻設(shè)備共用電源。

 晶閘管測(cè)試儀 型號(hào)：DBC-352   

結(jié)構(gòu)特征  
本儀器為箱式結(jié)構(gòu)，數(shù)字顯示，讀數(shù)直觀方便。前部是面板，裝有控制鍵、 
數(shù)字顯示表和接線端子等。后蓋板上裝有三線電源插座和保險(xiǎn)絲盒。(保險(xiǎn)絲 
為0.5A/250V)。  
本儀器安放無特殊要求，但儀器外殼要可靠接地(本儀器外殼與后蓋板的 
三線電源插座中點(diǎn)相連)，以保證儀器的測(cè)量精度和操作人員的安全。 
概述   
本儀器是晶閘管和整流管少子壽命的測(cè)試設(shè)備。適用于各種反向阻斷  
型晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、雙向晶閘管及各種整流管的參數(shù)測(cè)試。本測(cè)試儀設(shè)計(jì)  
良好，結(jié)構(gòu)合理，并具有數(shù)字顯示，直接讀取少子壽命值，自動(dòng)測(cè)試，操作簡(jiǎn)  
便等特點(diǎn)。其技術(shù)指標(biāo)符合GB4024-83標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定。是電力半導(dǎo)體器件生產(chǎn)廠  
zui為理想的檢測(cè)設(shè)備。   
2  技術(shù)參數(shù)   
2.1 觸發(fā)電流范圍：0—500mA   
2.2 少子壽命測(cè)量范圍：0.1—99μs   
2.3 測(cè)試分辨率：0.1µs   
2.4 重復(fù)測(cè)試頻率：1Hz   
2.5 工作條件   
電源:AC 220V±10% 50HZ   
溫度：0—40℃   
2.6 整機(jī)功耗：小于50VA   
2.7 整機(jī)重量：約10Kg   
2.8 整機(jī)尺寸：440×150×440mm 

產(chǎn)品名稱：A型試片/靈敏度試片/探傷試片 產(chǎn)品型號(hào)：A

A型試片/靈敏度試片/探傷試片  型號(hào)：A

型靈敏度試片用于零部件的磁粉探傷，在檢查中，對(duì)幾何形狀復(fù)雜，不同材質(zhì)的工件，可以正確地選擇磁化規(guī)范，并可檢查探傷設(shè)備，磁粉和磁懸液的性能，在磁粉探傷操作過程中，可以避免 漏檢，正確地知道探傷工作所需的電流峰值和方向，并對(duì)顯示缺陷的磁場(chǎng)強(qiáng)度有所估量。A型靈敏試片是磁粉探傷工作者*的調(diào)試工具。

     特點(diǎn)如下：                                                    

    試片用于磁粉顯示，圖像直觀，使用簡(jiǎn)便，對(duì)各類零件所方向的磁場(chǎng)，尤其檢查形狀復(fù)雜的零件時(shí)，表現(xiàn)其*的優(yōu)點(diǎn)。

   性能規(guī)格：                                                       
    試片=1（u）適用于高靈敏度探傷，規(guī)格為（11-12）D；=2（ u）適用于中靈敏度探傷，為（8-9）D；=3（ u）適用于低靈敏度探傷，規(guī)格為（5-6）D。括號(hào)中分子為槽深，分母為試片厚度，單位為U（微米），D為工件直徑。